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      產品中心

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      等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

      產品簡介

      等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)是借助于放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式。

      產品型號:
      更新時間:2023-09-19
      廠商性質:生產廠家
      訪問量:6287
      詳細介紹在線留言
        一、等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)的應用:
        PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
        二、產品特點:
        1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。
        2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。
        3、采用高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。
        4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。
        5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。
        6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。
        7、等離子射頻電源:大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC,單相50/60Hz。
        三、等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)技術參數:

      型號

      HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE

      HTF1200-5/20-4M-LV-PE

      HTF1200-6/40-2M-HV-PE

      HTF1200-8/40-4M-HV-PE

      設計溫度(℃)

      1200

      1200

      1200

      1200

      控溫精度(℃)

      ±1

      ±1

      ±1

      ±1

      加熱區直徑(mm)

      25

      50

      60

      80

      加熱區長度(mm)

      200

      200

      400

      400

      加熱管長度(mm)

      450

      450

      1000

      1000

      恒溫區長度(mm)

      80

      80

      150

      150

      額定電壓(V)

      220

      220

      220

      220

      額定功率(KVA)

      1.2

      1.2

      3

      3

      射頻電源功率(W)

      5~300

      5~300

      5~500

      5~500

      真空機組

      HTF-101

      HTF-101

      HTF-104

      HTF-104

      供氣系統

      HTF-2F

      HTF-4F

      HTF-2M

      HTF-4M



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